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基本资料

《相变存储器》

发表时间 : 2010-08-10 22:16 所属类别 : 多物理场分析

《相变存储器》
作者：	宋志棠
出版社：	科学出版社
出版时间：	2010-02
价格：	￥42.40
简介：	本书依托国家“863”、“973”等项目，围绕PCRAM研发所涉及的基础科学与关键技术问题，对PCRAM的基本原理、PCRAM所用的材料体系、新型相变材料的理论与方法、PCRAM的关键单项工艺与集成工艺、器件单元结构改进、PCRAM所涉及的器件结构与芯片模拟、测试、芯片设计与制造等方面进行了较为详细的阶段性工作总结。本书适合材料、微电子等相关专业的研究生、科技人员和教学人员使用。本书中涉及的数值模拟工作采用了COMSOL Multiphysics软件完成，节省了大量人力物力。
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图书介绍

作者简介：

宋志棠教授，男，研究员，博士生导师，上海市政协委员。1997年毕业于西安交通大学电子材料与器件研究所，获工学博士学位。现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室主任、信息功能材料国家重点实验室副主任，上海市纳电子材料与器件优秀学科带头人，国内PCRAM材料与器件研究的开创者。负责建立了纳米技术实验室，创建了纳电子材料与器件学科，与产业结合率先在国内开展相变存储器（PCRAM）的研发，培养与组建了100人产、学、研紧密结合、高水平的研发队伍。PCRAM纳电子材料与器件作为所级项目,连续2年被评为第一名。领导的课题组完成了国家“973”、“863”等多个项目，目前承担二个国家集成电路重大专项、二个“973”、一个“863”重点项目等。负责搭建起纳电子材料与器件技术平台(近2亿)。目前申请PCRAM相关发明专利100多项，其中授权26项，完成了在设计与模拟、存储结构、纳米集成工艺、测试等方面自主开发PCRAM芯片的整体专利布局。发表170多篇学术论文，被Nature Material、Nano Lett.等杂志引用500多次。近年来获得国家科技进步一等奖、上海市科技进步一等奖、国务院特殊津贴、上海市优秀学科带头人、上海市优秀博士后、上海市科技启明星、中科院研究生院优秀教师、中国科学院优秀指导教师、中国科学院朱李月华优秀教师奖等奖励或荣誉称号。

目录

前言
第1章绪论
1.1 半导体存储器简介
1.2 相变存储器概述
　1.3 相变存储器研究现状
　1.4 相变存储器的发展趋势
　参考文献
第2章 Ge2Sb2Te5相变材料及其改性
　2.1 Ge2Sb2Te5薄膜的制备与性能表征
　2.2 Ge2Sb2Te5薄膜的氮掺杂
　2.3 Ge2Sb2Te5薄膜的氧离子掺杂
　2.4 纳米复合相变材料
　参考文献
第3章新型相变材料
　3.1 新型相变材料筛选理论与方法
　3.2 SiSbTe相变材料
　3.3 环境友好无碲SiSb相变材料
　参考文献
第4章相变存储单元制备及关键工艺
　4.1 内米加热电极
　4.2 相变材料的干法刻蚀工艺
　4.3 化学机械抛光(CMP)
　4.4 电子束曝光工艺
　参考文献
第5章相变存储器模拟
　5.1 相变存储单元渎、写cao作的器件模拟
　5.2 Hspice电学模拟
　参考文献
第6章新结构相变存储单元
　6.1 基于夹在多晶锗层间的GeSbTe PCRAM器件
　6.2 相变存储器用三氧化钨下加热层
　6.3 相变存储单元底电极结构的改进——针状电极
　6.4 横向纳米线结构
　参考文献
第7章相变存储器测试
　7.1 材料电性能表征测试
　7.2 器件电性能测试及cao作特性测试
　7.3 工艺一致性测试及WAT
　7.4 产品测试
第8章相变存储器设计与制造
　8.1 相变存储器的整体结构
　8.2 相变存储单元设计
　8.3 驱动模块设计
　8.4 基准电路设计
　8.5 控制逻辑设计
　8.6 相变存储器芯片制造
　参考文献

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